IXFJ26N50P3

制造商编号:
IXFJ26N50P3
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247
规格说明书:
IXFJ26N50P3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 204.619261 204.62
10 188.049043 1880.49
100 158.821947 15882.19

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Polar3™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 265 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 42 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2220 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 180W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247(IXTH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
APT24F50B Microchip Technology ¥38.32000 类似
IRFP23N50LPBF Vishay Siliconix ¥60.36000 类似

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IXFJ26N50P3

型号:IXFJ26N50P3

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO247

库存:0

单价:

1+: ¥204.619261
10+: ¥188.049043
100+: ¥158.821947
500+: ¥141.283551
1000+: ¥132.868523

货期:1-2天

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