库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.691065 | ￥8.69 |
| 10 | ￥7.639185 | ￥76.39 |
| 100 | ￥5.859942 | ￥585.99 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 85 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4621 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.3W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 2,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RQ3C150BCTB | Rohm Semiconductor | ¥8.29000 | 类似 |
DMP2007UFG-7
型号：DMP2007UFG-7
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.691065 |
| 10+： | ￥7.639185 |
| 100+： | ￥5.859942 |
| 500+： | ￥4.632002 |
| 1000+： | ￥3.705602 |
| 2000+： | ￥3.358233 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.69