库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥410.320244 | ￥410.32 |
| 10 | ￥378.424406 | ￥3784.24 |
| 100 | ￥369.73446 | ￥36973.45 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 配置: | 三相反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 65 A |
| 功率 - 最大值: | 225 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.25V @ 15V，35A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 1 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 2 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 是 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | 模块 |
| 标准包装: | 24 |
FS35R12W1T4BOMA1
型号：FS35R12W1T4BOMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：IGBT MOD 1200V 65A 225W
库存：0
单价：
| 1+： | ￥410.320244 |
| 10+： | ￥378.424406 |
| 100+： | ￥369.73446 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥410.32