STW18N60DM2

制造商编号:
STW18N60DM2
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 12A TO247
规格说明书:
STW18N60DM2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 30.992793 30.99
10 27.84564 278.46
100 22.812246 2281.22

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ DM2
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 295 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 800 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 90W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXFH22N60P3 IXYS ¥53.60000 类似
AOK20N60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥24.11000 类似

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STW18N60DM2

型号:STW18N60DM2

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO247

库存:0

单价:

1+: ¥30.992793
10+: ¥27.84564
100+: ¥22.812246
500+: ¥19.41927
1000+: ¥18.611121

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