JAN1N5618US

制造商编号:
JAN1N5618US
制造商:
Microchip微芯
描述:
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
规格说明书:
JAN1N5618US说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: Military, MIL-PRF-19500/429
包装: 散装
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 3 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SQ-MELF,A
供应商器件封装: D-5A
工作温度 - 结: -65°C ~ 200°C
标准包装: 1

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型号 品牌 参考价格 说明
1N5618US Microchip Technology ¥55.99000 直接

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JAN1N5618US

型号:JAN1N5618US

品牌:Microchip微芯

描述:DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

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