FDD8896

制造商编号:
FDD8896
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
规格说明书:
FDD8896说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 10.506367 10.51
10 9.376155 93.76
100 7.310317 731.03

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Ta),94A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.7 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2525 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 80W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRLR8726TRLPBF Infineon Technologies ¥5.22000 类似

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FDD8896

型号:FDD8896

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA

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1+: ¥10.506367
10+: ¥9.376155
100+: ¥7.310317
500+: ¥6.038885
1000+: ¥5.056435
2500+: ¥5.056459

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