RUU002N05T106

制造商编号:
RUU002N05T106
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3
规格说明书:
RUU002N05T106说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 25 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 200mW(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: UMT3
封装/外壳: SC-70,SOT-323
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DMN53D0LW-7 Diodes Incorporated ¥2.30000 类似

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RUU002N05T106

型号:RUU002N05T106

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3

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