货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥15.148739 | ¥15.15 |
10 | ¥13.507341 | ¥135.07 |
100 | ¥10.533788 | ¥1053.38 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 10.5 毫欧 @ 12.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 70 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | ¥5.38000 | 类似 |
SI4427BDY-T1-E3
型号:SI4427BDY-T1-E3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
库存:0
单价:
1+: | ¥15.148739 |
10+: | ¥13.507341 |
100+: | ¥10.533788 |
500+: | ¥8.701554 |
1000+: | ¥6.869674 |
2500+: | ¥6.869674 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.15