货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥31.705604 | ¥31.71 |
10 | ¥28.503959 | ¥285.04 |
100 | ¥23.349996 | ¥2335.00 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 150V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 105 毫欧 @ 4.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 26nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | 1.4W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 双 |
供应商器件封装: | PowerPAK® SO-8 双 |
标准包装: | 3,000 |
SI7956DP-T1-E3
型号:SI7956DP-T1-E3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
库存:0
单价:
1+: | ¥31.705604 |
10+: | ¥28.503959 |
100+: | ¥23.349996 |
500+: | ¥19.877424 |
1000+: | ¥17.961535 |
3000+: | ¥17.961535 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥31.71