BG3123RE6327HTSA1

制造商编号:
BG3123RE6327HTSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
规格说明书:
BG3123RE6327HTSA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
晶体管类型: 2 N-通道(双)
频率: 800MHz
增益: 25dB
电压 - 测试: 5 V
额定电流(安培): 25mA,20mA
噪声系数: 1.8dB
电流 - 测试: 14 mA
功率 - 输出: -
电压 - 额定: 8 V
封装/外壳: 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: PG-SOT363-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BLP27M810Z Ampleon USA Inc. ¥161.12000 类似
A2I25D025NR1 NXP USA Inc. ¥488.66000 类似
BLF10H6600PSU Rochester Electronics, LLC ¥1,750.84533 类似

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BG3123RE6327HTSA1

型号:BG3123RE6327HTSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

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