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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 20 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 30 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.5V @ 15V，10A |
| 功率 - 最大值: | 150 W |
| 开关能量: | 190µJ（开），160µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 64 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 12ns/168ns |
| 测试条件: | 400V，10A，26 欧姆，15V |
| 工作温度: | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装: | PG-TO252-3-313 |
| 标准包装: | 2,500 |
AIHD10N60RFATMA1
型号：AIHD10N60RFATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：IC DISCRETE 600V TO252-3
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