STQ1NK60ZR-AP

制造商编号:
STQ1NK60ZR-AP
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
规格说明书:
STQ1NK60ZR-AP说明书

库存 :3498

货期: 国内(1~2天)

封装: 剪切带(CT)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
2000 2.406232 4812.46

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: SuperMESH™
包装: 剪切带(CT) 带盒(TB)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15 欧姆 @ 400mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 94 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92-3
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
标准包装: 2,000

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STQ1NK60ZR-AP

型号:STQ1NK60ZR-AP

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3

库存:3498

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2000+: ¥2.406232

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