ISP06P005NSATMA1

制造商编号:
ISP06P005NSATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET P-CH SOT223-3
规格说明书:
ISP06P005NSATMA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT223
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
标准包装: 3,000

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ISP06P005NSATMA1

型号:ISP06P005NSATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET P-CH SOT223-3

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