货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 230 毫欧 @ 2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 218µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9.3 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 265 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TSOP6-6 |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
PMN280ENEAX | Nexperia USA Inc. | ¥3.46000 | 类似 |
BSL373SNH6327XTSA1
型号:BSL373SNH6327XTSA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00