库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.590559 | ￥3.59 |
| 10 | ￥2.940839 | ￥29.41 |
| 100 | ￥2.002848 | ￥200.28 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | TrenchMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 190mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 10 欧姆 @ 150mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 40 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 830mW（Tc） |
| 工作温度: | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-236AB |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装: | 3,000 |
BST82,215
型号：BST82,215
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.590559 |
| 10+： | ￥2.940839 |
| 100+： | ￥2.002848 |
| 500+： | ￥1.50213 |
| 1000+： | ￥1.126603 |
| 3000+： | ￥1.032702 |
| 6000+： | ￥0.970135 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.59