PD57006STR-E

制造商编号:
PD57006STR-E
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
规格说明书:
PD57006STR-E说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 154.586576 154.59
10 142.082134 1420.82
25 136.196828 3404.92

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
晶体管类型: LDMOS
频率: 945MHz
增益: 15dB
电压 - 测试: 28 V
额定电流(安培): 1A
噪声系数: -
电流 - 测试: 70 mA
功率 - 输出: 6W
电压 - 额定: 65 V
封装/外壳: PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
供应商器件封装: PowerSO-10RF(直引线)
标准包装: 600

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PD57018S-E STMicroelectronics ¥233.15000 类似

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PD57006STR-E

型号:PD57006STR-E

品牌:ST意法半导体

描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

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1+: ¥154.586576
10+: ¥142.082134
25+: ¥136.196828
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