HS5M R7G

制造商编号:
HS5M R7G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
规格说明书:
HS5M R7G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 5 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 50pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB,SMC
供应商器件封装: DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 850

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
CURC307-G Comchip Technology ¥4.30000 类似
S5M-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.69000 类似
S5MC-13-F Diodes Incorporated ¥4.68000 类似
S3M-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥4.30000 类似
US3M-13 Diodes Incorporated ¥4.99000 类似

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HS5M R7G

型号:HS5M R7G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

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