- 制造商编号：
- FF8MR12W2M1B11BOMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
- 规格说明书：
- FF8MR12W2M1B11BOMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 托盘
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2712.358428 | ￥2712.36 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolSiC™+ |
| 包装: | 托盘 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 碳化硅（SiC） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 150A（Tj） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.5 毫欧 @ 150A，15V（标准） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.55V @ 60mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 372nC @ 15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 11000pF @ 800V |
| 功率 - 最大值: | 20mW（Tc） |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | AG-EASY2BM-2 |
| 标准包装: | 15 |
FF8MR12W2M1B11BOMA1
型号：FF8MR12W2M1B11BOMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
库存：0
单价：
| 1+： | ￥2712.358428 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2712.36