- 制造商编号：
- RQ6E085BNTCR
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
- 规格说明书：
- RQ6E085BNTCR说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.076506 | ￥9.08 |
| 10 | ￥7.973648 | ￥79.74 |
| 100 | ￥6.11197 | ￥611.20 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 14.4 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 32.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1350 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.25W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TSMT6（SC-95） |
| 封装/外壳: | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装: | 3,000 |
RQ6E085BNTCR
型号：RQ6E085BNTCR
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
库存：0
单价：
| 1+： | ￥9.076506 |
| 10+： | ￥7.973648 |
| 100+： | ￥6.11197 |
| 500+： | ￥4.831561 |
| 1000+： | ￥3.865249 |
| 3000+： | ￥3.502885 |
| 6000+： | ￥3.29425 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.08