RFN2LAM6STR

制造商编号:
RFN2LAM6STR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
规格说明书:
RFN2LAM6STR说明书

库存 :7920

货期: 国内(1~2天)

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.632407 5.63
10 4.813035 48.13
100 3.594048 359.40

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.55 V @ 1.5 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-128
供应商器件封装: PMDTM
工作温度 - 结: 150°C(最大)
标准包装: 3,000

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RFN2LAM6STR

型号:RFN2LAM6STR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

库存:7920

单价:

1+: ¥5.632407
10+: ¥4.813035
100+: ¥3.594048
500+: ¥2.823689
1000+: ¥2.181942
3000+: ¥1.989446
6000+: ¥1.861094
15000+: ¥1.750249

货期:1-2天

+ -

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