SN7002N L6327

制造商编号:
SN7002N L6327
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
规格说明书:
SN7002N L6327说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: SIPMOS®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 26µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 45 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 360mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
ZVN4106FTA Diodes Incorporated ¥5.07000 类似
MMBF170Q-7-F Diodes Incorporated ¥3.00000 类似
PMBF170,215 Nexperia USA Inc. ¥3.15000 类似
2N7002AQ-7 Diodes Incorporated ¥2.46000 直接
PMBF170,235 Nexperia USA Inc. ¥3.15000 类似

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SN7002N L6327

型号:SN7002N L6327

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

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