TK58E06N1,S1X

制造商编号:
TK58E06N1,S1X
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
规格说明书:
TK58E06N1,S1X说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.162306 12.16
10 10.90732 109.07
100 8.504267 850.43

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: U-MOSVIII-H
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.4 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 46 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3400 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 110W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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TK58E06N1,S1X

型号:TK58E06N1,S1X

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 60V 58A TO220

库存:0

单价:

1+: ¥12.162306
10+: ¥10.90732
100+: ¥8.504267
500+: ¥7.02539
1000+: ¥5.546365
2000+: ¥5.176606
5000+: ¥5.042148

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥12.16