CSD18540Q5B

制造商编号:
CSD18540Q5B
制造商:
TI德州仪器
描述:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
规格说明书:
CSD18540Q5B说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 26.732176 26.73
10 23.995547 239.96
100 19.285213 1928.52

规格参数

属性 参数值
制造商: TI(德州仪器)
系列: NexFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.2 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 53 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4230 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),195W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-VSON-CLIP(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FDMS86500DC onsemi ¥29.11000 类似

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CSD18540Q5B

型号:CSD18540Q5B

品牌:TI德州仪器

描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

库存:0

单价:

1+: ¥26.732176
10+: ¥23.995547
100+: ¥19.285213
500+: ¥15.844471
1000+: ¥14.40398
2500+: ¥14.40398

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