SI4804CDY-T1-GE3

制造商编号:
SI4804CDY-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
规格说明书:
SI4804CDY-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.447708 7.45
10 6.588549 65.89
100 5.049521 504.95

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 865pF @ 15V
功率 - 最大值: 3.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF7905TRPBF Infineon Technologies ¥7.68000 类似
AUIRF7313QTR Infineon Technologies ¥16.90000 类似
AO4842 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥4.92000 类似
ZXMN3G32DN8TA Diodes Incorporated ¥6.99000 类似
NTMD4840NR2G onsemi ¥5.45000 类似

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SI4804CDY-T1-GE3

型号:SI4804CDY-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥7.447708
10+: ¥6.588549
100+: ¥5.049521
500+: ¥3.99145
1000+: ¥3.193165
2500+: ¥2.993593

货期:1-2天

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