货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Renesas(瑞萨) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 85A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.5 毫欧 @ 43A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 85 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4100 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 100W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | LDPAK |
封装/外壳: | SC-83 |
标准包装: | 1,000 |
RJK0629DPE-00#J3
型号:RJK0629DPE-00#J3
品牌:Renesas瑞萨
描述:MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK
库存:0
单价:
货期:1-2天
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