RJK0629DPE-00#J3

制造商编号:
RJK0629DPE-00#J3
制造商:
Renesas瑞萨
描述:
MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK
规格说明书:
RJK0629DPE-00#J3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Renesas(瑞萨)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 85A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.5 毫欧 @ 43A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 85 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4100 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 100W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LDPAK
封装/外壳: SC-83
标准包装: 1,000

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RJK0629DPE-00#J3

型号:RJK0629DPE-00#J3

品牌:Renesas瑞萨

描述:MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK

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