货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | π-MOSV |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 450 毫欧 @ 2.7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 600 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.6W(Ta),45W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOP Advance(5x5) |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
标准包装: | 3,000 |
TPCA8010-H(TE12L,Q
型号:TPCA8010-H(TE12L,Q
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00