IXTK62N25

制造商编号:
IXTK62N25
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 250V 62A TO264
规格说明书:
IXTK62N25说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: MegaMOS™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 62A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 @ 31A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 390W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264(IXTK)
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
标准包装: 30

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型号 品牌 参考价格 说明
STW52NK25Z STMicroelectronics ¥60.28000 类似

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型号:IXTK62N25

品牌:IXYS艾赛斯

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