DMP6250SE-13

制造商编号:
DMP6250SE-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
规格说明书:
DMP6250SE-13说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.34824 7.35
10 6.49281 64.93
100 4.979769 497.98

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 250 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 551 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.8W(Ta),14W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-3
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BSP315PH6327XTSA1 Infineon Technologies ¥8.45000 类似

客服

购物车

DMP6250SE-13

型号:DMP6250SE-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223

库存:0

单价:

1+: ¥7.34824
10+: ¥6.49281
100+: ¥4.979769
500+: ¥3.936841
1000+: ¥3.149423
2500+: ¥2.854213
5000+: ¥2.684209

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥7.35