货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥4.730419 | ¥4.73 |
10 | ¥3.527867 | ¥35.28 |
100 | ¥1.998517 | ¥199.85 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 300mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.6nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 20pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 500mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装: | PG-SOT363-6 |
标准包装: | 3,000 |
2N7002DWH6327XTSA1
型号:2N7002DWH6327XTSA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
库存:0
单价:
1+: | ¥4.730419 |
10+: | ¥3.527867 |
100+: | ¥1.998517 |
500+: | ¥1.323605 |
1000+: | ¥1.014772 |
3000+: | ¥0.882411 |
6000+: | ¥0.794175 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.73