2N7002DWH6327XTSA1

制造商编号:
2N7002DWH6327XTSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
规格说明书:
2N7002DWH6327XTSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.730419 4.73
10 3.527867 35.28
100 1.998517 199.85

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20pF @ 25V
功率 - 最大值: 500mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: PG-SOT363-6
标准包装: 3,000

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2N7002DWH6327XTSA1

型号:2N7002DWH6327XTSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

库存:0

单价:

1+: ¥4.730419
10+: ¥3.527867
100+: ¥1.998517
500+: ¥1.323605
1000+: ¥1.014772
3000+: ¥0.882411
6000+: ¥0.794175

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