IXTH2N150L

制造商编号:
IXTH2N150L
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 1500V 2A TO247
规格说明书:
IXTH2N150L说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 136.259494 136.26
10 125.248324 1252.48
100 105.775986 10577.60

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Linear
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 15欧姆 @ 1A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 8.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 72 nC @ 20 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1470 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 290W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247(IXTH)
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STW3N170 STMicroelectronics ¥45.08000 类似

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IXTH2N150L

型号:IXTH2N150L

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO247

库存:0

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1+: ¥136.259494
10+: ¥125.248324
100+: ¥105.775986
500+: ¥94.09502
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