IRF6711STR1PBF

制造商编号:
IRF6711STR1PBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
规格说明书:
IRF6711STR1PBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),84A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.8 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1810 pF @ 13 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.2W(Ta),42W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DIRECTFET™ SQ
封装/外壳: DirectFET™ 等容 SQ
标准包装: 1,000

客服

购物车

IRF6711STR1PBF

型号:IRF6711STR1PBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00