- 制造商编号：
- BSZ180P03NS3EGATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
- 规格说明书：
- BSZ180P03NS3EGATMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.977038 | ￥8.98 |
| 10 | ￥7.925158 | ￥79.25 |
| 100 | ￥6.073177 | ￥607.32 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9A（Ta），39.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 18 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.1V @ 48µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 30 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2220 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.1W（Ta），40W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TSDSON-8 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 标准包装: | 5,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDMS4435BZ | onsemi | ¥10.91000 | 类似 |
BSZ180P03NS3EGATMA1
型号：BSZ180P03NS3EGATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.977038 |
| 10+： | ￥7.925158 |
| 100+： | ￥6.073177 |
| 500+： | ￥4.801198 |
| 1000+： | ￥4.000998 |
| 5000+： | ￥4.000998 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.98