库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥88.614053 | ￥88.61 |
| 10 | ￥80.063487 | ￥800.63 |
| 100 | ￥66.284605 | ￥6628.46 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | SupreMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 36A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 90 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 112 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4785 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 312W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 800 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | ¥52.61000 | 类似 |
FCB36N60NTM
型号：FCB36N60NTM
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
库存：0
单价：
| 1+： | ￥88.614053 |
| 10+： | ￥80.063487 |
| 100+： | ￥66.284605 |
| 800+： | ￥59.243114 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥88.61