货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥68.844677 | ¥68.84 |
10 | ¥62.221314 | ¥622.21 |
100 | ¥51.509794 | ¥5150.98 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | E |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 75 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 197 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4436 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 329W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-247AC |
封装/外壳: | TO-247-3 |
标准包装: | 500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IXKH47N60C | IXYS | ¥191.46000 | 类似 |
TK35N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥57.52000 | 类似 |
STW42N65M5 | STMicroelectronics | ¥80.41000 | 类似 |
SIHG40N60E-GE3
型号:SIHG40N60E-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
库存:0
单价:
1+: | ¥68.844677 |
10+: | ¥62.221314 |
100+: | ¥51.509794 |
500+: | ¥44.853979 |
1000+: | ¥43.407035 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥68.84