SIHG40N60E-GE3

制造商编号:
SIHG40N60E-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
规格说明书:
SIHG40N60E-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 68.844677 68.84
10 62.221314 622.21
100 51.509794 5150.98

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: E
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 75 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 197 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4436 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 329W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AC
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXKH47N60C IXYS ¥191.46000 类似
TK35N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ¥57.52000 类似
STW42N65M5 STMicroelectronics ¥80.41000 类似

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SIHG40N60E-GE3

型号:SIHG40N60E-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

库存:0

单价:

1+: ¥68.844677
10+: ¥62.221314
100+: ¥51.509794
500+: ¥44.853979
1000+: ¥43.407035

货期:1-2天

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