- 制造商编号：
- TSM3N90CI C0G
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
- 规格说明书：
- TSM3N90CI C0G说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.298705 | ￥21.30 |
| 10 | ￥19.155158 | ￥191.55 |
| 100 | ￥15.398603 | ￥1539.86 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 900 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5.1 欧姆 @ 1.25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 748 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 94W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | ITO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 标准包装: | 2,000 |
TSM3N90CI C0G
型号：TSM3N90CI C0G
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥21.298705 |
| 10+： | ￥19.155158 |
| 100+： | ￥15.398603 |
| 500+： | ￥12.651555 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.30