库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.237202 | ￥3.24 |
| 10 | ￥2.390286 | ￥23.90 |
| 100 | ￥1.352444 | ￥135.24 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7.1pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 120mW |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装: | VMT6 |
| 标准包装: | 8,000 |
VT6M1T2CR
型号：VT6M1T2CR
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.237202 |
| 10+： | ￥2.390286 |
| 100+： | ￥1.352444 |
| 500+： | ￥0.895497 |
| 1000+： | ￥0.686549 |
| 2000+： | ￥0.597002 |
| 8000+： | ￥0.537296 |
| 16000+： | ￥0.477601 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.24