货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ON(安森美) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 800mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 15 欧姆 @ 400mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 4.9 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 92 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 26W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DPAK |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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FQD1N60CTM | onsemi | ¥5.68000 | 类似 |
NDDL01N60ZT4G
型号:NDDL01N60ZT4G
品牌:ON安森美
描述:MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00