NTB35N15G

制造商编号:
NTB35N15G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
规格说明书:
NTB35N15G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 37A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 @ 18.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 100 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3200 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta),178W(Tj)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RCJ450N20TL Rohm Semiconductor ¥22.65000 类似

客服

购物车

NTB35N15G

型号:NTB35N15G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00