货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.992587 | ¥4.99 |
10 | ¥4.044223 | ¥40.44 |
100 | ¥2.751394 | ¥275.14 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 55 毫欧 @ 6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 555 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-26 |
封装/外壳: | SOT-23-6 |
标准包装: | 3,000 |
DMN2100UDM-7
型号:DMN2100UDM-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
库存:0
单价:
1+: | ¥4.992587 |
10+: | ¥4.044223 |
100+: | ¥2.751394 |
500+: | ¥2.063853 |
1000+: | ¥1.547804 |
3000+: | ¥1.418864 |
6000+: | ¥1.332872 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.99