货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥5.918379 | ¥5.92 |
10 | ¥5.194746 | ¥51.95 |
100 | ¥3.985581 | ¥398.56 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 12V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.5A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 28 毫欧 @ 5.2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 16nC @ 8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 455pF @ 6V |
功率 - 最大值: | 7.8W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | PowerPAK® SC-70-6 双 |
供应商器件封装: | PowerPAK® SC-70-6 双 |
标准包装: | 3,000 |
SIA910EDJ-T1-GE3
型号:SIA910EDJ-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
库存:0
单价:
1+: | ¥5.918379 |
10+: | ¥5.194746 |
100+: | ¥3.985581 |
500+: | ¥3.151015 |
1000+: | ¥2.520819 |
3000+: | ¥2.363261 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.92