SIA910EDJ-T1-GE3

制造商编号:
SIA910EDJ-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
规格说明书:
SIA910EDJ-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.918379 5.92
10 5.194746 51.95
100 3.985581 398.56

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28 毫欧 @ 5.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 455pF @ 6V
功率 - 最大值: 7.8W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装: PowerPAK® SC-70-6 双
标准包装: 3,000

客服

购物车

SIA910EDJ-T1-GE3

型号:SIA910EDJ-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

库存:0

单价:

1+: ¥5.918379
10+: ¥5.194746
100+: ¥3.985581
500+: ¥3.151015
1000+: ¥2.520819
3000+: ¥2.363261

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥5.92