NTHC5513T1G

制造商编号:
NTHC5513T1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
规格说明书:
NTHC5513T1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.362478 9.36
10 8.24097 82.41
100 6.319238 631.92

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A,2.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: ChipFET™
标准包装: 3,000

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NTHC5513T1G

型号:NTHC5513T1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

库存:0

单价:

1+: ¥9.362478
10+: ¥8.24097
100+: ¥6.319238
500+: ¥4.995411
1000+: ¥3.996348
3000+: ¥3.973632

货期:1-2天

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