DMTH6016LFDFW-7

制造商编号:
DMTH6016LFDFW-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
规格说明书:
DMTH6016LFDFW-7说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3000 2.861698 8585.09

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 925 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.06W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6(SWP)(F 型)
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
标准包装: 3,000

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DMTH6016LFDFW-7

型号:DMTH6016LFDFW-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN

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