IAUZ30N10S5L240ATMA1

制造商编号:
IAUZ30N10S5L240ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32
规格说明书:
IAUZ30N10S5L240ATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.408703 12.41
10 11.077068 110.77
100 8.63412 863.41

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 15µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 832 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 45.5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSON-8-32
封装/外壳: 8-PowerTDFN
标准包装: 5,000

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IAUZ30N10S5L240ATMA1

型号:IAUZ30N10S5L240ATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 100V 30A 8TSDSON-32

库存:0

单价:

1+: ¥12.408703
10+: ¥11.077068
100+: ¥8.63412
500+: ¥7.132294
1000+: ¥6.256461
5000+: ¥6.256461

货期:1-2天

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