MBR30035CTR

制造商编号:
MBR30035CTR
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
描述:
DIODE MODULE 35V 150A 2TOWER
规格说明书:
MBR30035CTR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 951.532331 951.53

规格参数

属性 参数值
制造商: GeneSiC(基因半导体公司)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
二极管配置: 1 对共阳极
二极管类型: 肖特基,反极性
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 35 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 300A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 150 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 35 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 双塔架
供应商器件封装: 双塔架
标准包装: 40

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MBR30035CTR

型号:MBR30035CTR

品牌:GeneSiC基因半导体公司

描述:DIODE MODULE 35V 150A 2TOWER

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