库存 ：100
货期： 国内（1~2天）
封装： 编带
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.520057 | ￥0.52 |
| 10 | ￥0.420057 | ￥4.20 |
| 30 | ￥0.370057 | ￥11.10 |
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规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 类型: | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss): | 600V |
| 连续漏极电流(Id): | 20mA |
| 功率(Pd): | 500mW |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): | 50Ω@0V,3mA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs): | 1.55nC@±5V |
| 输入电容(Ciss@Vds): | 12.3pF@25V |
| 反向传输电容(Crss@Vds): | 1.8pF@25V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMZ6005E
型号：DMZ6005E
品牌：ARK方舟微）
描述：耗尽型MOSFET
库存：100
单价：
| 1+： | ￥0.520057 |
| 10+： | ￥0.420057 |
| 30+： | ￥0.370057 |
| 100+： | ￥0.332557 |
| 500+： | ￥0.302557 |
| 1000+： | ￥0.287557 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.52