ZVNL120GTA

制造商编号:
ZVNL120GTA
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
规格说明书:
ZVNL120GTA说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.834954 9.83
10 8.641331 86.41
100 6.627963 662.80

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 320mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 3V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 欧姆 @ 250mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 1mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 85 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-3
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRFL210TRPBF Vishay Siliconix ¥7.07000 类似

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ZVNL120GTA

型号:ZVNL120GTA

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223

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1+: ¥9.834954
10+: ¥8.641331
100+: ¥6.627963
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