货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥9.834954 | ¥9.83 |
10 | ¥8.641331 | ¥86.41 |
100 | ¥6.627963 | ¥662.80 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 320mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 3V,5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 10 欧姆 @ 250mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 1mA |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 85 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-223-3 |
封装/外壳: | TO-261-4,TO-261AA |
标准包装: | 1,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IRFL210TRPBF | Vishay Siliconix | ¥7.07000 | 类似 |
ZVNL120GTA
型号:ZVNL120GTA
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
库存:0
单价:
1+: | ¥9.834954 |
10+: | ¥8.641331 |
100+: | ¥6.627963 |
500+: | ¥5.239307 |
1000+: | ¥4.191406 |
2000+: | ¥3.798518 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.83