货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥3.49937 | ¥3.50 |
10 | ¥2.809755 | ¥28.10 |
100 | ¥1.910177 | ¥191.02 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Toshiba(东芝) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.5V,4V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 123 毫欧 @ 1A,4V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 3.4 nC @ 4 V |
Vgs(最大值): | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 195 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 500mW(Ta) |
工作温度: | 150°C |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | UFM |
封装/外壳: | 3-SMD,扁平引线 |
标准包装: | 3,000 |
SSM3K122TU,LF
型号:SSM3K122TU,LF
品牌:Toshiba东芝
描述:MOSFET N-CH 20V 2A UFM
库存:0
单价:
1+: | ¥3.49937 |
10+: | ¥2.809755 |
100+: | ¥1.910177 |
500+: | ¥1.432872 |
1000+: | ¥1.074649 |
3000+: | ¥0.985101 |
6000+: | ¥0.925395 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.50