货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥9.26301 | ¥9.26 |
10 | ¥8.183776 | ¥81.84 |
100 | ¥6.273606 | ¥627.36 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A(Ta),40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 9.1 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 23 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1700 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.1W(Ta),30W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TSDSON-8 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 5,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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CSD17308Q3 | Texas Instruments | ¥7.68000 | 类似 |
NTTFS4C13NTAG | onsemi | ¥5.53000 | 类似 |
RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.15000 | 类似 |
RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.61000 | 类似 |
CSD17579Q5AT | Texas Instruments | ¥10.37000 | 类似 |
BSZ100N03MSGATMA1
型号:BSZ100N03MSGATMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
库存:0
单价:
1+: | ¥9.26301 |
10+: | ¥8.183776 |
100+: | ¥6.273606 |
500+: | ¥4.959328 |
1000+: | ¥4.132769 |
5000+: | ¥4.132769 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.26