货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥13.366088 | ¥13.37 |
10 | ¥11.954878 | ¥119.55 |
100 | ¥9.322193 | ¥932.22 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | STripFET™ F6 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A(Tj) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 20.5 毫欧 @ 3.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 22 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2850 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.7W(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SO |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装: | 2,500 |
STS7P4LLF6
型号:STS7P4LLF6
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO
库存:0
单价:
1+: | ¥13.366088 |
10+: | ¥11.954878 |
100+: | ¥9.322193 |
500+: | ¥7.701279 |
1000+: | ¥6.448323 |
2500+: | ¥6.44836 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.37