TPH3206LDGB

制造商编号:
TPH3206LDGB
制造商:
Transphorm
描述:
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
规格说明书:
TPH3206LDGB说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Transphorm
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 @ 11A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 760 pF @ 480 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 81W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PQFN(8x8)
封装/外壳: 3-PowerDFN
标准包装: 60

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TPH3206LDGB

型号:TPH3206LDGB

品牌:Transphorm

描述:GANFET N-CH 650V 16A PQFN

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